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"Le graphène obtenu à partir de gaz à effet de serre pour sauver le climat " par la Dr Mae-Wan Ho
Traduction et compléments de Jacques Hallard
vendredi 11 décembre 2015, par
ISIS Graphène Climat
Le graphène obtenu à partir de gaz à effet de serre pour sauver le climat
Graphene from Greenhouse Gases to Save the Climate
Le graphène peut être synthétisé avec une très grande qualité et des impacts environnementaux minimaux, à partir du méthane et du dioxyde de carbone : ainsi, il peut aider à sauver le climat Dr Mae-Wan Ho
Rapport de l’ISIS en date du 07/08/2013
Une version entièrement illustrée et référencée de cet article intitulé Graphene from Greenhouse Gases to Save the Climate est accessible par les membres de l’ISIS sur le site http://www.i-sis.org.uk/Graphene_from_Greenhouse_Gases_to_Save_the_Climate.php ; elle est par ailleurs disponible en téléchargement ici
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La production industrielle du graphène a déjà commencé en Chine (voir [1] Graphene and the New Age of Carbon, SiS 59) *, bien que les méthodes précises qui sont utilisées dans sa production ne soient pas encore connues. Mon choix est de faire cette production d’une manière durable écologiquement, à partir des gaz à effet de serre.
* Version en français : "Le graphène et le nouvel âge du carbone" par le Dr Mae-Wan Ho
Les méthodes de production varient quant à leurs impacts environnementaux et sanitaires et quant à leur efficacité énergétique
Les méthodes actuelles qui permettent de produire du graphène à grande échelle sont : l’exfoliation chimique du graphite, la croissance épitaxiale de carbure de silicium (SiC) et le dépôt chimique en phase vapeur sur une feuille de métal de transition.
L’exfoliation chimique nécessite des produits chimiques tels que le permanganate de potassium (KMnO4) dans l’acide sulfurique concentré (H2SO4) et le peroxyde d’hydrogène (H2O2) pour oxyder en graphite, séparer les couches et faire une dispersion colloïdale d’oxyde de graphène, qui est alors réduit de nouveau en graphène avec des produits chimiques hautement toxiques tels que l’hydrazine [2].
La croissance épitaxiale sur carbure de silicium SiC nécessite un chauffage du SiC à de hautes températures supérieures à 1.100° C dans une atmosphère d’argon. La qualité et la taille du produit dépendent de la tranche de SiC, ce qui rend le processus très coûteux et très dispendieux en consommation d’énergie [3].